1. 新技術平台： 漢磊（3707）推出第三代平面型碳化矽（SiC）MOSFET G3方案，已通過多家客戶的可靠度測試及車用規範驗證。

2. 技術優勢： 漢磊的新技術將晶片縮小，降低導通電阻，使客戶能夠有效率地整合元件，提供更小、更節能、更高功率密度的產品，技術與國際IDM大廠並駕齊驅。

3. 技術提升： 漢磊的G3技術平台相較於前一代G2，降低了元件面積約40％，改善導通電阻（Ronsp）30％，滿足客戶對技術提升與高效的需求，並增加更多國際IDM客戶的合作機會。

4. 應用範圍廣泛： 漢磊的化合物半導體技術可應用於最先進太陽能逆變器、儲能系統、尖端電動車用模組及AI高效能算力伺服器等領域。

5. 市場前景： 2024年上半年，短期終端需求仍面臨庫存調整壓力，漢磊預期在通膨逐漸控制下，終端需求將逐步復甦。

6. 節能減碳趨勢： 漢磊樂觀看待化合物半導體發展，認為在節能減碳趨勢下，半導體綠能、電動車及未來AI伺服器的長期成長，將擴大化合物半導體功率元件需求。

7. 產能擴展： 法人推估，至2024年第四季，漢磊的氮化鎵（GaN）月產能將達2,000片，4吋碳化矽（SiC）月產能達1,100片，6吋SiC月產能達4,000片，擴產速度顯著提升。

8. 持續研發投入： 漢磊總經理劉燦文強調，研發團隊將持續投入新一代製程技術，並開放碳化矽第三代平面型MOSFET技術平台給客戶，以應對市場技術最新發展需求。

結論

漢磊透過推出第三代碳化矽MOSFET技術，顯示其在化合物半導體領域的技術實力和市場適應能力。該技術不僅提升了產品性能，還為公司帶來更多國際IDM客戶合作機會。隨著節能減碳趨勢的推進和AI伺服器、電動車等市場的長期成長，漢磊的技術和產能擴展將有助於其在未來市場中保持競爭優勢。